挪威选手夺得本届冬奥会首金
2022-02-07 16:15:48
据日本经济产业省官网信息显示，5月23日，日本经济产业省发布修订《关于根据出口贸易管制令附表1和外汇令附表确定货物或技术的部令》，结束此前3月31日开始的该修正案征求意见阶段，正式将新增的六大品类（3项清洗、11项成膜、1项热处理、4项曝光、3项蚀刻、1项检测）在内的23项高性能半导体制造设备列入出口管制名单，于2023年7月23日起正式实施。
(资料图片仅供参考)
由于日本政府称这项出口管制政策未针对特定国家，但美国、韩国等42个实行一揽子出口许可证的国家和地区无需单独批准，中国等国家均需单独得到日本政府批准，事实上形成了对中国的半导体禁令。
内容上，比对此前3月份的草稿，这次5月23日发布的修正稿显示与此前基本一致，目前对于这23项高性能半导体设备，有国外日本媒体《日经XTECH》和国内媒体《半导体行业观察》于今年4月根据此前草案整理了一份易读的管制设备名单。
由于相对美国此前的更加明确直接表示禁止美国厂商向中国出口14nm及以下制程工艺所需的半导体设备，日本此次管制的这23种半导体设备应用领域更加分散，目前在能限制中国多少纳米制程工艺上，如先进制程还是成熟制程，看法不一。
据日经中文网报道，其表示，23个品类包括极紫外（EUV）相关产品的制造设备，以及可立体堆叠存储元件的蚀刻设备等。按运算用逻辑半导体的性能来看，均属于制造电路线宽在10～14纳米以下的尖端产品所需设备。
但据英国金融时报报道称，日本对中国此次限制影响可能甚于美国，不仅先进制程能力，甚至有可能影响其低级芯片的生产，如用于从汽车到洗衣机的各种产品
据其报道，一位中国芯片工厂高管表示：“日本的出口管制将比美国去年的制裁更令中国不安。”在尼康(Nikon)提供的浸没光刻(immersion lithography)等设备的出口管制中，日本的规格涵盖了最低45纳米的芯片。
此前，在征求意见阶段，就有人给出建议，“由于 ArF 浸没式光刻⼯具⽤于 28/40/55nm 等成熟节点，我们建议要么删除该条款，要么重新考虑将 K 值改为 0.35 以与⽡森纳协议保持⼀致”
针对其中一项，有人表示，“由于⽬标设备⼴泛⽤于28nm等成熟节点，因此控制措施会过度限制成熟过程。我建议删除它。如果⽆法去除，⾄少应限制在“仅⽤于10纳⽶或更⼩先进⼯艺的那些”。
但根据通过征集意见后的修订案中28项半导体管制设备中的一项——“用于处理晶圆的步进重复式、步进扫描式光刻机设备（光源波长为193纳米以上、且光源波长乘以0.25再除以数值孔径得到的数值为45及以下），尼康的ArF液浸式曝光设备便属于此次管控范围。
不过，值得一提的是，目前，日本在曝光装置上占比并不大，据EE Times Japan 2021年统计的数据显示，在各种半导体制造前道流程市场占有率中，日本在曝光装置上占比仅为5%，在涂显影设备、热处理、批量式清洗设备上均占有9成的份额，测长SEM检测设备也拥有68%的市场份额，这或许也是日本禁令中有涵盖这四类领域的原因之一。
目前，距离日本此次禁令生效还有2个月，外界更担心的是荷兰是否会跟进，此前今年1月，传美日荷三国已达成对华协议，不过，伴随着中国国产化替代率提升，以及世界地缘政策的变化，这些都存在一定变数。
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